STFW6N120K3 Preços (USD) [11882pcs Estoque]
- 1 pcs$3.46831
- 300 pcs$2.35695
- Número da peça:
- STFW6N120K3
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STFW6N120K3 electronic components. STFW6N120K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STFW6N120K3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STFW6N120K3 Atributos do produto
Número da peça :
STFW6N120K3
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
Series :
SuperMESH3™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOWATT-218FX
Pacote / caso :
ISOWATT218FX
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