ON Semiconductor - FQD5N20LTM

KEY Part #: K6392647

FQD5N20LTM Preços (USD) [240661pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15369
  • 2,500 pcs$0.14635

Número da peça:
FQD5N20LTM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD5N20LTM Atributos do produto

Número da peça : FQD5N20LTM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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