Toshiba Semiconductor and Storage - TK72E12N1,S1X

KEY Part #: K6418054

TK72E12N1,S1X Preços (USD) [50279pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.85971
  • 50 pcs$0.85543

Número da peça:
TK72E12N1,S1X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 120V 72A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK72E12N1,S1X Atributos do produto

Número da peça : TK72E12N1,S1X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 72A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8100pF @ 60V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 255W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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