ON Semiconductor - FDH047AN08A0

KEY Part #: K6397492

FDH047AN08A0 Preços (USD) [15330pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.68827
  • 10 pcs$2.40049

Número da peça:
FDH047AN08A0
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDH047AN08A0 Atributos do produto

Número da peça : FDH047AN08A0
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 310W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3