[2020pcs Estoque]
- Número da peça:
- NTD4806NT4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTD4806NT4G electronic components. NTD4806NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4806NT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD4806NT4G Atributos do produto
Número da peça :
NTD4806NT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2142pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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