Infineon Technologies - IRF7483MTRPBF

KEY Part #: K6419593

IRF7483MTRPBF Preços (USD) [120107pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.30795
  • 4,800 pcs$0.28642

Número da peça:
IRF7483MTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 135A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7483MTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7483MTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 135A
Series : StrongIRFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 135A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 81A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3913pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 74W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DirectFET™ Isometric MF
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MF

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