[13325pcs Estoque]
- Número da peça:
- SQM110P04-04L-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 40V 120A TO263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQM110P04-04L-GE3 electronic components. SQM110P04-04L-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM110P04-04L-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQM110P04-04L-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQM110P04-04L-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13980pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (D2Pak)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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