ON Semiconductor - FDC8884

KEY Part #: K6397391

FDC8884 Preços (USD) [548511pcs Estoque]

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Número da peça:
FDC8884
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC8884 Atributos do produto

Número da peça : FDC8884
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 465pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT™-6
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6