ON Semiconductor - FCMT180N65S3

KEY Part #: K6397451

FCMT180N65S3 Preços (USD) [53613pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.72930

Número da peça:
FCMT180N65S3
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
SUPERFET3 650V PQFN88.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCMT180N65S3 Atributos do produto

Número da peça : FCMT180N65S3
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : SUPERFET3 650V PQFN88
Series : SuperFET® III
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 139W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Power88
Pacote / caso : 4-PowerTSFN

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