IXYS - IXTH30N60L2

KEY Part #: K6399892

IXTH30N60L2 Preços (USD) [6911pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.85729
  • 10 pcs$6.23370
  • 100 pcs$5.29867

Número da peça:
IXTH30N60L2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH30N60L2 Atributos do produto

Número da peça : IXTH30N60L2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Series : Linear L2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 335nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 540W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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