Infineon Technologies - BSD816SNH6327XTSA1

KEY Part #: K6421652

BSD816SNH6327XTSA1 Preços (USD) [1259547pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.03132

Número da peça:
BSD816SNH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD816SNH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSD816SNH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 0.95V @ 3.7µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 2.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT363-6
Pacote / caso : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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