IXYS - IXTN550N055T2

KEY Part #: K6393033

IXTN550N055T2 Preços (USD) [2945pcs Estoque]

  • 1 pcs$16.17380
  • 10 pcs$14.96227
  • 100 pcs$12.77879

Número da peça:
IXTN550N055T2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN550N055T2 Atributos do produto

Número da peça : IXTN550N055T2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Series : GigaMOS™, TrenchT2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 550A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 595nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 940W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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