ON Semiconductor - FDMS86200DC

KEY Part #: K6393696

FDMS86200DC Preços (USD) [53717pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.73154
  • 3,000 pcs$0.72790

Número da peça:
FDMS86200DC
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86200DC Atributos do produto

Número da peça : FDMS86200DC
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
Series : Dual Cool™, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2955pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Dual Cool™56
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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