IXTY02N50D Preços (USD) [28512pcs Estoque]
- 1 pcs$2.17265
- 10 pcs$1.93908
- 100 pcs$1.59005
- 500 pcs$1.28755
- 1,000 pcs$1.03020
- Número da peça:
- IXTY02N50D
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTY02N50D electronic components. IXTY02N50D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY02N50D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTY02N50D Atributos do produto
Número da peça :
IXTY02N50D
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
120pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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