SI2316BDS-T1-GE3 Preços (USD) [367832pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10056
- 3,000 pcs$0.09238
- Número da peça:
- SI2316BDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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SI2316BDS-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI2316BDS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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