Número da peça :
SI4668DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1654pF @ 15V
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)