FDC021N30 Preços (USD) [795181pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04651
- 6,000 pcs$0.04262
- Número da peça:
- FDC021N30
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- PT8 N 30V/20V MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDC021N30 electronic components. FDC021N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC021N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDC021N30 Atributos do produto
Número da peça :
FDC021N30
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
PT8 N 30V/20V MOSFET
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT™-6
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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