ON Semiconductor - FDC021N30

KEY Part #: K6397425

FDC021N30 Preços (USD) [795181pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04651
  • 6,000 pcs$0.04262

Número da peça:
FDC021N30
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
PT8 N 30V/20V MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDC021N30 electronic components. FDC021N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC021N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC021N30 Atributos do produto

Número da peça : FDC021N30
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : PT8 N 30V/20V MOSFET
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT™-6
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6