PMXB65UPEZ Preços (USD) [1048445pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04270
- 5,000 pcs$0.04248
- Número da peça:
- PMXB65UPEZ
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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PMXB65UPEZ Atributos do produto
Número da peça :
PMXB65UPEZ
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
634pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1010D-3
Pacote / caso :
3-XDFN Exposed Pad
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