ON Semiconductor - FCD850N80Z

KEY Part #: K6409543

FCD850N80Z Preços (USD) [85917pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.45510
  • 2,500 pcs$0.43461

Número da peça:
FCD850N80Z
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD850N80Z Atributos do produto

Número da peça : FCD850N80Z
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1315pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 75W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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