FCMT125N65S3 Preços (USD) [31180pcs Estoque]
- 1 pcs$1.32179
- Número da peça:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- SF3 650V 125MOHM MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCMT125N65S3 electronic components. FCMT125N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCMT125N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCMT125N65S3 Atributos do produto
Número da peça :
FCMT125N65S3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
SF3 650V 125MOHM MOSFET
Series :
SuperFET® III
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 590µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1920pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
181W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-PQFN (8x8)
Pacote / caso :
4-PowerTSFN
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