STW35N60M2-EP Preços (USD) [28452pcs Estoque]
- 1 pcs$1.44849
- Número da peça:
- STW35N60M2-EP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STW35N60M2-EP electronic components. STW35N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW35N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW35N60M2-EP Atributos do produto
Número da peça :
STW35N60M2-EP
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET
Series :
MDmesh™ M2-EP
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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