STMicroelectronics - STI20N65M5

KEY Part #: K6396766

STI20N65M5 Preços (USD) [37803pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.03434
  • 1,000 pcs$0.92074

Número da peça:
STI20N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI20N65M5 Atributos do produto

Número da peça : STI20N65M5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Series : MDmesh™ V
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1434pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 130W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK (TO-262)
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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