Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K204FE,LF

KEY Part #: K6397683

SSM6K204FE,LF Preços (USD) [644086pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05743

Número da peça:
SSM6K204FE,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V ES6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K204FE,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM6K204FE,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 30V ES6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 126 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 195pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ES6
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666

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