Infineon Technologies - BSS209PWH6327XTSA1

KEY Part #: K6419340

BSS209PWH6327XTSA1 Preços (USD) [1297466pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.02541

Número da peça:
BSS209PWH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS209PWH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS209PWH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 630mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 3.5µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT323-3
Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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