VMO580-02F Preços (USD) [701pcs Estoque]
- 1 pcs$69.48370
- 10 pcs$64.94178
- 25 pcs$62.67126
- Número da peça:
- VMO580-02F
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 580A MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS VMO580-02F electronic components. VMO580-02F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VMO580-02F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VMO580-02F Atributos do produto
Número da peça :
VMO580-02F
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
580A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 430A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 50mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2750nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Y3-Li
Pacote / caso :
Y3-Li
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