IXYS - IXTH90P10P

KEY Part #: K6399894

IXTH90P10P Preços (USD) [10530pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.49955
  • 10 pcs$4.04827
  • 100 pcs$3.32843
  • 500 pcs$2.78870

Número da peça:
IXTH90P10P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 100V 90A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH90P10P Atributos do produto

Número da peça : IXTH90P10P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
Series : PolarP™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5800pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 462W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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