[478pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXFN38N100Q2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN38N100Q2 electronic components. IXFN38N100Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN38N100Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN38N100Q2 Atributos do produto
Número da peça :
IXFN38N100Q2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
38A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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