Microsemi Corporation - APT9M100B

KEY Part #: K6408941

APT9M100B Preços (USD) [8565pcs Estoque]

  • 120 pcs$2.34180

Número da peça:
APT9M100B
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT9M100B Atributos do produto

Número da peça : APT9M100B
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2605pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 335W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]
Pacote / caso : TO-247-3

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