SQV120N10-3M8_GE3 Preços (USD) [45191pcs Estoque]
- 1 pcs$0.86522
- Número da peça:
- SQV120N10-3M8_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQV120N10-3M8_GE3 electronic components. SQV120N10-3M8_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQV120N10-3M8_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQV120N10-3M8_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQV120N10-3M8_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7230pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-262-3
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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