Infineon Technologies - IPA105N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6397879

IPA105N15N3GXKSA1 Preços (USD) [16942pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.43266

Número da peça:
IPA105N15N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA105N15N3GXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPA105N15N3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 160µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 40.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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