Vishay Siliconix - SIHF5N50D-E3

KEY Part #: K6392625

SIHF5N50D-E3 Preços (USD) [61527pcs Estoque]

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Número da peça:
SIHF5N50D-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF5N50D-E3 Atributos do produto

Número da peça : SIHF5N50D-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 30W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220 Full Pack
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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