Infineon Technologies - IRF3007STRLPBF

KEY Part #: K6418809

IRF3007STRLPBF Preços (USD) [78267pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.49958
  • 800 pcs$0.47959

Número da peça:
IRF3007STRLPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3007STRLPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF3007STRLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 62A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.6 mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3270pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 120W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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