DMN601WKQ-13 Preços (USD) [1272399pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02907
- 10,000 pcs$0.02610
- Número da peça:
- DMN601WKQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 60V SOT323.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN601WKQ-13 electronic components. DMN601WKQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN601WKQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN601WKQ-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN601WKQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET NCH 60V SOT323
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200mW (Ta)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-323
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
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