IXYS - IXFN21N100Q

KEY Part #: K6393641

IXFN21N100Q Preços (USD) [3716pcs Estoque]

  • 1 pcs$12.30066
  • 10 pcs$12.23946

Número da peça:
IXFN21N100Q
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN21N100Q Atributos do produto

Número da peça : IXFN21N100Q
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 520W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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