Infineon Technologies - IPP65R110CFDXKSA1

KEY Part #: K6416308

IPP65R110CFDXKSA1 Preços (USD) [13321pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.46087
  • 100 pcs$2.01788
  • 500 pcs$1.63398
  • 1,000 pcs$1.37806

Número da peça:
IPP65R110CFDXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R110CFDXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPP65R110CFDXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 277.8W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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