IPA180N10N3GXKSA1 Preços (USD) [93248pcs Estoque]
- 1 pcs$0.76930
- Número da peça:
- IPA180N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IPA180N10N3GXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPA180N10N3GXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-FP
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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