R6002END3TL1 Preços (USD) [242031pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15282
- Número da peça:
- R6002END3TL1
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- NCH 600V 2A POWER MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6002END3TL1 electronic components. R6002END3TL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6002END3TL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6002END3TL1 Atributos do produto
Número da peça :
R6002END3TL1
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
65pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
26W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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