FDME510PZT Preços (USD) [370455pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10034
- 5,000 pcs$0.09984
- Número da peça:
- FDME510PZT
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDME510PZT electronic components. FDME510PZT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDME510PZT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDME510PZT Atributos do produto
Número da peça :
FDME510PZT
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1490pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Pacote / caso :
6-PowerUDFN
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