IXTA130N10T7 Preços (USD) [40749pcs Estoque]
- 1 pcs$1.06081
- 50 pcs$1.05554
- Número da peça:
- IXTA130N10T7
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA130N10T7 electronic components. IXTA130N10T7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA130N10T7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA130N10T7 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA130N10T7
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7
Series :
TrenchMV™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5080pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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