[979pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFR120ATM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor IRFR120ATM electronic components. IRFR120ATM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120ATM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR120ATM Atributos do produto
Número da peça :
IRFR120ATM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252AA
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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