IXT-1-1N100S1-TR Preços (USD) [12392pcs Estoque]
- 1 pcs$3.51403
- 2,500 pcs$3.49655
- Número da peça:
- IXT-1-1N100S1-TR
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXT-1-1N100S1-TR electronic components. IXT-1-1N100S1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXT-1-1N100S1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXT-1-1N100S1-TR Atributos do produto
Número da peça :
IXT-1-1N100S1-TR
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Pacote / caso :
-
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