FDMC3612 Preços (USD) [202426pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18363
- 3,000 pcs$0.18272
- Número da peça:
- FDMC3612
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 8-MLP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMC3612 electronic components. FDMC3612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC3612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMC3612 Atributos do produto
Número da peça :
FDMC3612
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta), 16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-MLP (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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