IXFX21N100F Preços (USD) [4525pcs Estoque]
- 1 pcs$11.40645
- 10 pcs$10.55027
- 100 pcs$9.01035
- Número da peça:
- IXFX21N100F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS-RF IXFX21N100F electronic components. IXFX21N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX21N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX21N100F Atributos do produto
Número da peça :
IXFX21N100F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
Series :
HiPerRF™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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