TK10A80E,S4X Preços (USD) [38643pcs Estoque]
- 1 pcs$1.17226
- 50 pcs$0.89682
- 100 pcs$0.80714
- 500 pcs$0.62778
- 1,000 pcs$0.52016
- Número da peça:
- TK10A80E,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V TO220SIS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E,S4X electronic components. TK10A80E,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10A80E,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK10A80E,S4X Atributos do produto
Número da peça :
TK10A80E,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Series :
π-MOSVIII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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