Diodes Incorporated - ZXMP6A13FQTA

KEY Part #: K6393910

ZXMP6A13FQTA Preços (USD) [340920pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10849
  • 3,000 pcs$0.09478

Número da peça:
ZXMP6A13FQTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMP6A13FQTA Atributos do produto

Número da peça : ZXMP6A13FQTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 900mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 219pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 625mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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