BUK9Y7R2-60E,115 Preços (USD) [188806pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BUK9Y7R2-60E,115
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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BUK9Y7R2-60E,115 Atributos do produto
Número da peça :
BUK9Y7R2-60E,115
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5026pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
167W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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