IXTA56N15T Preços (USD) [41564pcs Estoque]
- 1 pcs$1.08728
- 50 pcs$1.08188
- Número da peça:
- IXTA56N15T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 56A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA56N15T electronic components. IXTA56N15T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA56N15T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA56N15T Atributos do produto
Número da peça :
IXTA56N15T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263
Series :
TrenchHV™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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