Rohm Semiconductor - RRH090P03TB1

KEY Part #: K6420178

RRH090P03TB1 Preços (USD) [167001pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24485
  • 2,500 pcs$0.24363

Número da peça:
RRH090P03TB1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RRH090P03TB1 Atributos do produto

Número da peça : RRH090P03TB1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.4 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 650mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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