FQI4N90TU Preços (USD) [75132pcs Estoque]
- 1 pcs$0.56880
- 1,000 pcs$0.56597
- Número da peça:
- FQI4N90TU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQI4N90TU electronic components. FQI4N90TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI4N90TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQI4N90TU Atributos do produto
Número da peça :
FQI4N90TU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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