Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K341NU,LF

KEY Part #: K6421477

SSM6K341NU,LF Preços (USD) [603363pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06130

Número da peça:
SSM6K341NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K341NU,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM6K341NU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-UDFNB (2x2)
Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad

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